近日，英諾賽科（蘇州）半導體有限公司（以下簡稱“英諾蘇州”）在香港交易所發(fā)布公告，正式對英飛凌科技（中國）有限公司（被告一）、英飛凌科技（無錫）有限公司（被告二）以及蘇州芯沃科電子科技有限公司（被告三）提起訴訟。此次訴訟涉及的專利包括202311774650.7號和202211387983.X號，相關的起訴狀分別為《(2024)蘇05民初1430號》和《(2024)蘇05民初1431號》，已提交至江蘇省蘇州市中級人民法院。

英諾蘇州作為上述專利的權利人，已獲得相關專利的許可，涉及的專利技術主要包括一種氮化鎵（GaN）功率器件及其制備方法，以及一種氮化物基半導體器件及其制造方法。這些技術在半導體行業(yè)中具有重要的應用價值，尤其是在高效能和高頻率的電子設備中。

根據起訴狀的內容，被告二英飛凌科技（無錫）有限公司是被告一的全資控股子公司，并且是英飛凌中文網站的備案主體。該網站向中國市場的潛在客戶展示、宣傳并承諾銷售多種型號的氮化鎵（GaN）半導體器件。被告一則作為涉案侵權產品的進口商和總經銷商，負責將這些產品引入中國市場。根據英飛凌中文網站的信息，被告三蘇州芯沃科電子科技有限公司則是被告一和被告二在中國市場的增值分銷商。

經過技術比對，原告英諾蘇州認為，涉案的侵權產品已落入其專利的保護范圍。三被告在未獲得原告許可的情況下，實施了承諾銷售、銷售及進口這些侵權產品的行為，構成了對相關專利的侵害。根據相關法律規(guī)定，原告要求三被告承擔相應的法律責任，包括立即停止侵權行為，并對因此造成的損失進行賠償。

此次訴訟不僅涉及專利權的保護，也反映了半導體行業(yè)內競爭的激烈程度。英諾賽科希望通過法律手段維護自身的合法權益，同時也為行業(yè)內的知識產權保護樹立一個標桿。